LED封装工艺的最新发展和成果有哪些？据中国环氧树脂行业协会(www.epoxy-e.cn)专家介绍，近年来随着LED生产技术发展一日千里，令其发光亮度提高和寿命延长，加上生产成本大幅降低，迅速扩大了LED应用市场，如消费产品、讯号系统及一般照明等，于是其全球市场规模快速成长.2003年全球LED市场约44.8亿美元(高亮度LED市场约27亿美元)，较2002年成长17.3%(高亮度LED市场成长47%)，乘着手机市场继续增长之势，预测2004年仍有14.0%的成长幅度可期。目前手机、数字相机、PDA等背光源所使用之白光LED采用蓝光单晶粒加YAG萤光而成.随着手机闪光灯、大中尺寸(NB、LCD-TV等)显示屏光源模块以至特殊用途照明系统之应用逐渐增多.末来再扩展至用于一般照明系统设备，采用白光LED技术之大功率(HighPower)LED市场将陆续显现.在技术方面，现时遇到最大挑战是提升及保持亮度，若再增强其散热能力，市场之发展深具潜力。中国环氧树脂行业协会(www.epoxy-e.cn)专家表示，为在短时间内掌握并提高设备制造水平，带动我国中高档LED产业发展，建议由联合体共同筹措资金(国家50%，设备研制单位15%，芯片制造与封装技术研究单位15%，LED芯片制造与封装企业20%)建设一条完整的LED芯片制造与封装示范生产线.该示范线以解决设备研制与工艺试验、LED产品制造工艺技术研究与验证、实现工艺技术与工艺设备成套供应为已任.凡参与该示范建设的单位，有权无偿使用该生产线进行相关产品、技术和产业化研究与试验，特别是LED产品生产单位，可优先优惠得到相关研究与产业化成果。

    共晶焊接。据中国环氧网/中国环氧树脂行业在线(www.epoxy-e.cn)专家介绍，技术最关键是共晶材料的选择及焊接温度的控制.新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用纯锡(Sn)或金锡(Au-Sn)合金作接触面镀层，晶粒可焊接于镀有金或银的基板上.当基板被加热至适合的共晶温度时(图5)，金或银元素渗透到金锡合金层，合金层成份的改变提高溶点，令共晶层固化并将LED紧固的焊于热沉或基板上(图6).选择共晶温度视乎晶粒、基板及器件材料耐热程度及往后SMT回焊制程时的温度要求.考虑共晶固晶机台时，除高位置精度外，另一重要条件就是有灵活而且稳定的温度控制，加有氮气或混合气体装置，有助于在共晶过程中作防氧化保护.当然和银浆固晶一样，要达至高精度的固晶，有赖于严谨的机械设计及高精度的马达运动，才能令焊头运动和焊力控制恰到好处之余，亦无损高产能及高良品率的要求。 
    据中国环氧网/中国环氧树脂行业在线(www.epoxy-e.cn)专家介绍，进行共晶焊接工艺时亦可加入助焊剂，这技术最大的特点是无须额外附加焊力，故此不会因固晶焊力过大而令过多的共晶合金溢出，减低LED产生短路的机会。 
    覆晶(FlipChip)焊接。据中国环氧网/中国环氧树脂行业在线(www.epoxy-e.cn)专家介绍，覆晶焊接近年被积极地运用于大功率LED制程中，覆晶方法把GaNLED晶粒倒接合于散热基板上，因没有了金线焊垫阻碍，对提高亮度有一定的帮助.因为电流流通的距离缩短，电阻减低，所以热的产生也相对降低.同时这样的接合亦能有效地将热转至下一层的散热基板再转到器件外面去.当此工艺被应用在SMDLED，不但提高光输出，更可以使产品整体面积缩小，扩大产品的应用市场。 
    在覆晶LED技术发展上有两个主要的方案:一是铅锡球焊(Solderbumpreflow)技术;另一个是热超声(Thermosonic)焊接技术.铅锡球焊接(图10)已在IC封装应用多时，工艺技术亦已成熟，故在此不再详述。 
    针对低成本及低线数器件的生产，热超声覆晶(Thermosonicflipchip)技术(图11)尤其适用于大功率LED焊接。以金做焊接的接口，由于金此物本身熔点温度较铅锡球和银浆高，对固晶后的制程设计方面更有弹性。据中国环氧网/中国环氧树脂行业在线(www.epoxy-e.cn)专家介绍，此外还有无铅制程、工序简单、金属接位可靠等优点.热超声覆晶工艺经过多年的研究及经验累积，已掌握最优化的制程参数，而且在几大LED生产商已成功地投入量产。